物理乱数生成回路に関する論文が回路系トップ論文誌のIEEE TCAS-Iにアクセプトされた．

物理乱数生成回路に関する研究成果が、回路理論分野を代表する国際学術誌 IEEE TCAS-I に採録されました。本研究は、次世代のセキュリティや情報処理を支える基盤技術として、乱数を安価かつ広く提供することを目指したものです。今後は、本回路を最先端 CMOS プロセスに実装し、実チップによる性能実証を進めていきます。

X. Huang and M. Islam, “Self-compensating StrongARM latch for high-speed energy-efficient true random number generators,” IEEE Transactions on Circuits and Systems. I, Regular Papers, vol. PP, no. 99, pp. 1–10, 2026, [Online]. Available at: http://dx.doi.org/10.1109/TCSI.2025.3643984.